封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：50A

Rds On-漏源导通电阻：7.3mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：136W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：25ns

上升时间：36ns

典型关闭延迟时间：27ns

典型接通延迟时间：14ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：7.3mΩ

IDpuls max：200.0A

VDS max：30.0V

ID max：50.0A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.1K/W

QG：35.0nC

Budgetary Price €€/1k：0.58

Ptot max：136.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：2.1 V 4.0 V

Coss：750.0 pF

Ciss：1630.0 pF

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs